QBT-I 雙腔室高速超高真空鍍膜系統
產品概況
QBT-I 是一款用于高速蒸鍍銦柱的電子束蒸發系統。由于銦熔點較低，需要在低溫下沉積，因此該系統配備深冷，可將樣品冷卻至-70℃，以此保證銦柱表面的光滑，并且配備快速晶振更換模塊，可實現銦的連續沉積。此系統為倒裝芯片工藝和 3D 堆疊芯片技術提供了解決方案。
技術參數
進樣腔極限真空：5E-9 Torr
蒸發室極限真空：3E-9 Torr
鍍膜均勻性：150mm 厚1um 去邊5mm RU<±5%
樣品尺寸：最多兼容6英寸晶圓，并向下兼容
QBT-I 雙腔室高速超高真空鍍膜系統
產品概況
QBT-I 是一款用于高速蒸鍍銦柱的電子束蒸發系統。由于銦熔點較低，需要在低溫下沉積，因此該系統配備深冷，可將樣品冷卻至-70℃，以此保證銦柱表面的光滑，并且配備快速晶振更換模塊，可實現銦的連續沉積。此系統為倒裝芯片工藝和 3D 堆疊芯片技術提供了解決方案。
技術參數
進樣腔極限真空：5E-9 Torr
蒸發室極限真空：3E-9 Torr
鍍膜均勻性：150mm 厚1um 去邊5mm RU<±5%
樣品尺寸：最多兼容6英寸晶圓，并向下兼容
