QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉超高真空磁控濺射系統
產品概況
QBT-MPV 為QBT-P的升級版系統。較于QBT-P，QBT-MPV 在一個濺射腔中可最多包含4個靶槍（按需），可進行多層工藝，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統同樣兼容基于種子層的工藝。
技術優勢
外形尺寸(L x W x H)：2600*1600*2200 mm
工藝腔極限真空：≤3E-9 Torr
工藝溫度：0-900°C或晶圓冷卻
樣品尺寸：最大標配4 英寸晶圓，兼容碎片
均勻性：4英寸晶圓，不均勻性<±5% （去邊5 mm）
磁控靶槍：4個4~6英寸超高真空磁控靶槍（可定制）
濺射電源：1KW 直流電源 或 750W 射頻電源及全自動匹配器（按需定制）
鍍膜均勻性：薄膜電阻均勻性NU%<±3% (在3英寸晶圓上去除邊緣的5mm）
應用領域
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