工業型設備
研發型設備
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等離子體ALD
PBATCH-A300 批次等離子體ALD（EFEM可選）
Multi Pbatch 批次等離子體ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次熱ALD
CBATCH 300s 批次熱ALD
12 inch ALD
QBT-A 300 CLUSTER 高真空等離子體 ALD 集群系統
CVD
MPCVD 金剛石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系統
Powder ALD/CVD
KG 工業級粉末ALD
SCA 工業級粉末CVD
PVD
QBT-J 300 超高真空互聯多腔體互聯約瑟夫森結制造系統
QBT-P300 Cluster 超高真空磁控濺射集群系統
Single Wafer ALD
QBT-ADS 雙腔高真空雙面鍍膜PEALD設備
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
單陰極垂直濺射系列
PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統
多陰極垂直濺射系列
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉超高真空磁控濺射系統
多陰極共聚焦濺射系列
QBT-MPC 2000 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射鍍膜系統
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統
定制系列（MP L）
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控濺射系統
Evaporator
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發鍍膜系統
QBT-I 雙腔室高速超高真空鍍膜系統
PECVD
QBT-C200 高真空等離子體增強化學氣相沉積系統
Powder ALD
GM 研發型粉末ALD
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
產品概況
可實現高質量金剛石單晶、多晶薄膜生長，用于核心的第四代寬禁帶半導體器件制造。
技術優勢
實現全自動、自動化生產
創新的設計帶來產品良率大幅提升
高均勻性、偏壓設計，提高金剛石薄膜質量
工業標準安全互鎖、報警、EMO
產品分類
應用領域
熱沉芯片
第四代高功率半導體
珠寶制造
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