QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統
產品概況
采用線性級聯技術，集成了進樣/預處理、離子銑、蒸發以及氧化四個腔室。整套系統全自動運行，操作簡單，易于維護，并且采用抓取傳送方式，減少了顆粒物的產生。基于QBT-J系列，客戶可研發出高質量的超導器件，在諸多領域有廣泛的應用前景。
技術優勢
超高真空腔體：4個超高真空腔體,包括進樣腔，離子束刻蝕腔，蒸發腔，氧化腔
基板加熱：RT-900oC
晶圓尺寸：最大支持8英寸晶圓，并且向下兼容
氧化：支持不同壓力等級的動態氧化和靜態氧化
電子束蒸發源：超高真空密封多束袋電子束蒸發源
鍍膜均勻性：8英寸晶圓，鍍膜不均勻性<±2% （去邊 5mm）
離子束刻蝕：8英寸晶圓，刻蝕不均勻性<±5% （去邊 5mm）
基板操控能力：可實現180度傾斜及360度旋轉，0.1度的精準控制
