工業(yè)型設(shè)備
研發(fā)型設(shè)備
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
產(chǎn)品概況
高真空等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)QBT-A，是國(guó)內(nèi)首家適用于高端研發(fā)及生產(chǎn)制造的HV-PEALD。QBT-A主要應(yīng)用于高質(zhì)量ALD薄膜沉積制備（氧化物、氮化物、金屬單質(zhì)），高真空設(shè)計(jì)降低系統(tǒng)泄露率，配備無(wú)氧陶瓷等離子發(fā)生器、氣體純化器、4路雙管源瓶。它能夠?qū)崿F(xiàn)超低射頻電路損耗、高深寬比TSV 填充、超低氧含量（<0.5%）。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)
工藝腔極限真空：<5E-8Torr
高精準(zhǔn)樣品加熱控制：RT-500±1oC
等離子體：最大600W射頻（RF）自匹配電源
臭氧發(fā)生器：可選配，生產(chǎn)效率15g/h
最大基板尺寸：Ф200mm，氧化鋁均勻性<1%
前驅(qū)體：最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體 4組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體
應(yīng)用領(lǐng)域
FAQ
QBT-A可以做哪些工藝？
TiN、SiN、AlN、NbN等氮化物、SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2等氧化物、Mo、Cu
QBT-A可以做多大尺寸的wafer？
8寸及以下
QBT-A的氮化物薄膜含氧量可以做到多低？
配備分子泵，極限真空達(dá)5E-8torr以下，并配備氣體純化器，氮化物薄膜的氧量≤0.5%
QBT-A的PE-TiN常溫電阻率可以做到多低？
30nm?PE-TiN常溫電阻率≤70μΩ-cm
QBT-A的NbN薄膜超導(dǎo)臨界溫度可以做到多少K?
20nm?NbN薄膜的Tc可以做到14K
