QBT-C200 高真空等離子體增強化學氣相沉積系統
產品概況
QBT-C200是專為超導量子技術設備制備需求打造的高密度等離子體沉積專用設備，采用ICP-PECVD 技術，具有較高的等離子體濃度和較低的等離子體損傷的，適用于高質量、低損傷的薄膜沉積，核心適配超導量子器件中氮化硅（Si?N?）、氧化硅（SiO?）關鍵介質薄膜的高精度、高穩定性、低缺陷沉積；可在半導體（硅及三五族化合物）、氧化硅等超導量子器件常用襯底上，高質量沉積 SiO?、Si?N?、SiOxNy 等介質膜，兼顧非晶硅、微晶硅等薄膜制備能力，適配最大 8 吋晶圓 / 載片器，是超導量子器件核心介質層制備的關鍵工藝設備。 設備搭載 13.56MHz 平板感應耦合等離子體源，采用全自動阻抗匹配方案；加熱模塊配置氦氣傳熱，溫度控制范圍覆蓋室溫至 + 400℃，可制備出應力范圍 - 200MPa~50MPa（膜厚 1000~1500?）的高質量低應力薄膜，薄膜片內不均勻性＜2%、片間不均勻性＜2%。設備配備全自動等離子體清潔工藝，且搭載終點檢測（Endpoint）裝置，保障工藝穩定性與清潔效果。
技術優勢
樣品尺寸：up to 8 inch
工藝溫度：RT~400°C
8×全金屬密封MFC，Ether CAT通訊，配備顆粒過濾器和截止閥；
工藝氣體：非腐蝕性氣體：N2、AR、O2、NF3/CF4、腐蝕性氣體：5%稀釋SiH4、NH3)、預留兩路氣體接口：參考N20、H2
預真空室：支持8英寸晶圓樣品快速進樣；
高真空反應腔室：采用ICP-PECVD 技術方案，特別適用于硅基絕緣層的低溫沉積高質量沉積 SiO?、Si?N?、SiOxNy 等介質膜；
全自動腔體清潔系統，配備終點檢測；
