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ALD
原子層沉積（atomic layer deposition,ALD）,是一種特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是通過將氣相前驅(qū)體脈沖 交替通入反應(yīng)腔室并在沉積基體表面發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法具有優(yōu)異的三維共型性，均勻性 精確的納米級膜厚控制等特點(diǎn)。
以經(jīng)典的三甲基鋁與水反應(yīng)生成氧化鋁為例：
半反應(yīng)a：-OH? + Al(CH3)3(g ) → - O - Al(CH3)2? + CH4(g)
半反應(yīng)b：- O - Al(CH3)2 + 2H2O(g) → - O - Al(OH)2? + 2CH4(g)
總反應(yīng)：2Al(CH3)3 + 3H2O → Al2O3 + 6CH4
ALD作為一種新型的化學(xué)氣相包覆手段，能夠?qū)崿F(xiàn)對被包覆材料不規(guī)則表面的完全賦型包覆它具有如下特點(diǎn)：
線性可控的包覆層厚度，0.1~0.2nm/cycle；
包覆層均勻且致密；
低溫生長，部分薄膜可室溫下生長；
可多組分疊層結(jié)構(gòu)生長；
包覆材料選擇多樣性。
ALD 相關(guān)產(chǎn)品
Single Wafer ALD
QBT-ADS 雙腔高真空雙面鍍膜PEALD設(shè)備
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
高真空等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)QBT-A，是國內(nèi)首家適用于高端研發(fā)及生產(chǎn)制造的HV-PEALD。QBT-A主要應(yīng)用于高質(zhì)量ALD薄膜沉積制備（氧化物、氮化物、金屬單質(zhì)），高真空設(shè)計(jì)降低系統(tǒng)泄露率，配備無氧陶瓷等離子發(fā)生器、氣體鈍化器、4路雙管源瓶。它能夠?qū)崿F(xiàn)超低射頻電路損耗、高深寬比TSV 填充、超低氧含量。
MINI 科研型桌式ALD
MINI是一款尺寸超小、操作簡單、功能強(qiáng)大的桌面式ALD系統(tǒng)，它可以在4寸晶圓和微納米粉體上實(shí)現(xiàn)均勻可控的原子層沉積，是先進(jìn)能源材料、新型納米材料研究與應(yīng)用的最佳研發(fā)工具。
