產(chǎn)品
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ALD
原子層沉積（atomic layer deposition,ALD）,是一種特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是通過將氣相前驅(qū)體脈沖 交替通入反應(yīng)腔室并在沉積基體表面發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法具有優(yōu)異的三維共型性，均勻性 精確的納米級膜厚控制等特點。
以經(jīng)典的三甲基鋁與水反應(yīng)生成氧化鋁為例：
半反應(yīng)a：-OH? + Al(CH3)3(g ) → - O - Al(CH3)2? + CH4(g)
半反應(yīng)b：- O - Al(CH3)2 + 2H2O(g) → - O - Al(OH)2? + 2CH4(g)
總反應(yīng)：2Al(CH3)3 + 3H2O → Al2O3 + 6CH4
ALD作為一種新型的化學(xué)氣相包覆手段，能夠?qū)崿F(xiàn)對被包覆材料不規(guī)則表面的完全賦型包覆它具有如下特點：
線性可控的包覆層厚度，0.1~0.2nm/cycle；
包覆層均勻且致密；
低溫生長，部分薄膜可室溫下生長；
可多組分疊層結(jié)構(gòu)生長；
包覆材料選擇多樣性。
ALD 相關(guān)產(chǎn)品
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等離子體ALD
可實現(xiàn)低溫高質(zhì)量的等離子體增強原子層沉積工藝，兼容熱式ALD工藝，可在玻璃、有機材料、高分子材料、金屬或陶瓷等材質(zhì)的基底沉積SiO2、Al2O3、TiO2等高質(zhì)量的薄膜。該設(shè)備具有極優(yōu)的鍍膜均勻性、重復(fù)性及可靠性，同時兼顧行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)能及良率。
PBATCH-A300 批次等離子體ALD（EFEM可選）
可實現(xiàn)低溫高質(zhì)量PEALD工藝，可在溫度敏感的襯底上，沉積SiO2、Al2O3、TiO2等高質(zhì)量的光學(xué)薄膜。亦可在玻璃、硅片、陶瓷、有機材料、高分子材料、金屬等材質(zhì)的基底沉積多種類型的ALD薄膜。可同時兼容熱式ALD及等離子體增強ALD工藝。批次性大產(chǎn)能結(jié)構(gòu)設(shè)計，大幅提高ALD產(chǎn)能，降低客戶使用成本。單位時間內(nèi)的處理量超越傳統(tǒng)PVD鍍膜設(shè)備。
Multi Pbatch 批次等離子體ALD
Multi Pbatch ALD設(shè)備可在極寬的溫度窗口(50℃-300℃)內(nèi)，實現(xiàn)高質(zhì)量的等離子體增強原子層薄膜沉積工藝，并兼容純熱式原子層薄膜沉積工藝?？稍?、6、8、12英寸硅晶圓、化合物晶圓、玻璃晶圓、玻璃鏡片、有機高分子鏡片、金屬或陶瓷等材質(zhì)的基底沉積SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、Ta2O5、AlN、TiN等高質(zhì)量的薄膜。該設(shè)備具有極優(yōu)的鍍膜均勻性、重復(fù)性及可靠性，同時兼顧優(yōu)異的產(chǎn)能、良率，及成本控制。
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次熱ALD
4/6 inch LED 生產(chǎn)線的原子層沉積系統(tǒng)，面向圖形化和平面藍(lán)寶石襯底微納器件氧化層封裝鍍膜的需要。
CBATCH 300s 批次熱ALD
多片批次式ALD，能夠?qū)崿F(xiàn)全自動、多片、連續(xù)化生產(chǎn)，有效提高產(chǎn)能，降低COO；能夠?qū)崿F(xiàn)原子級別的精確控制，ALD沉積薄膜無針孔，質(zhì)量高，可作為高K值介質(zhì)層，金屬層，封裝層，電鍍種子層及其他功能層應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于Mini/Micro LED，第三代半導(dǎo)體，以及集成電路制造等領(lǐng)域。
